SMG12C60
On-State Voltage Maxꢀ
Gate Characteristics
１０００
１０
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１２５℃
VFGM（６V ）
PGM（５W ）
１００
PG（AV（）０.５W ）
１
２５℃
１０
１
VG（D ０.２V ）
０.１
１
０.５
１
１.５
２
２.５
３
３.５
１０
１００
Gate Curren（t mA）
１０００
１００００
On-State Voltage（V）
Average On-State Current vs Power
Dissipation（Single phase half wave）
Average On-State Current vs Ambient
Temperature（Single phase half wave）
２０
１３０
１２０
１１０
１００
π
０
θ
＝
１８０゜
2π
θ
３
６
０゜
θ
＝
１２０゜
１５
θ：Conduction Angle
θ
＝
９０゜
θ
＝
６０゜
１０
θ
＝
３０゜
π
０
2π
５
０
θ
３６
９０
８０
０゜
θ＝
３０゜
θ＝
６０゜
θ＝
９０゜
θ
＝
１２０゜
θ
＝
１８０゜
θ
：Conduction Angle
０
２
４
６
８
１０
１２
１４
０
２
４
６
８
１０
１２
１４
Average On-State Curren（t A）
Average On-State Curren（t A）
Maximum Transient Thermal
Impedance Characteristics
Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）
１０
２００
１５０
１００
６０H z
５０H z
１
５０
０
０.１
０.０１
０.１
１
１０
１００
１
１０
１００
Time（sec.）
Time（Cycles）
VGT －T（j Typical）
IGT －T［j Change Rate］（Typical）
１
１０００
１００
１０
０.９
０.８
０.７
０.６
０.５
０.４
０.３
０.２
０.１
０
５０
－
－２５
０
２５
５０
７５
１００ １２５
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５
１００ １２５
Junction Temp（. ℃）
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