MOS FET 2SK3801
绝对最大额定值
(Ta=25ºC)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
P
D
EAS *
1
总胆固醇
TSTG
评级
40
±20
±70
±140
单位
V
V
A
A
W
mJ
ºC
ºC
电气特性
符号
测试条件
(Ta=25ºC)
外形尺寸
TO-3P
1.8
5.0
±0.2
15.6
±0.4
13.6
9.6
4.8
±0.2
2.0
±0.1
民
40
评级
典型值
最大
±10
100
4.0
6.0
单位
100
(Tc=25ºC)
400
150
–40
+150
*
1:
P
W
为100μs ，占空比1 ％
*
2:
V
DD
= 20V ， L = 1MH ，我
L
= 20A ，松开，
R
G
= 50Ω
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
Re
（ YFS ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
I
D
= 100μA ，V
GS
= 0V
V
GS
=
±15V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
V
DS
= 10V
F = 1.0MHz的
V
GS
= 0V
I
D
= 35A
V
DD
= 20V ，R
G
= 22Ω
R
L
= 0.57Ω, V
GS
= 10V
I
SD
= 50A ，V
GS
= 0V
I
SD
= 25A ，的di / dt = 50A / μs的
2.0
30
3.0
50
5.0
5100
1200
860
100
100
300
130
0.9
100
1.5
1.25
35.71
V
µA
µA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
° C / W
° C / W
19.9
±0.3
4.0
2.0
a
b
3.2
±0.1
20.0分
4.0最大
2
3
1.05
–0.1
+0.2
+0.2
0.65
–0.1
5.45
±0.1
15.8
±
0.2
5.45
±0.1
1.门
2.漏
3.源
1.4
a）第一部分第
B）批号
（单位：毫米）
(1)
(2)
(3)
■
I
D
—
V
DS
特性（典型值）。
70
60
50
10V
5.5V
5.0V
V
GS
= 4.5V
■
I
D
—
V
GS
特性（典型值）。
70
60
■
V
DS
—
V
GS
特性（典型值）。
1.0
■
R
E（ YFS ） -
I
D
特性（典型值）。
1000
(
V
DS
=
10V
)
（ TA = 25°C ）
(V
DS
= 10V)
0.8
50
40
30
20
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0
TA = 150℃
25°C
–55°C
40
30
20
10
0
V
DS
(V)
I
D
(A)
I
D
(A)
0.6
0.4
I
D
= 70A
0.2
35A
Re
（ YFS ）
(S)
100
TC = -55°C
25°C
150°C
10
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
0
1
0
5
10
15
20
1
10
70
V
DS
(V)
V
GS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
■
R
DS （ ON）
—
I
D
特性（典型值）。
7.0
6.0
TA = 25℃
V
GS
= 10V
■
R
DS （ ON）
—
T
C
特性（典型值）。
10.0
8.0
I
D
= 35A
V
GS
= 10V
■
J- ç
10
- Pw的特点
（单脉冲）
■
动态I / O特性（典型值）。
30
V
DS
(I
D
= 35A)
15
R
D
S（ ON）的
(mΩ)
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
R
D
S（ ON）的
(mΩ)
J- C（ C / W ）
V
DS
(V)
1
20
V
GS
V
DD
= 8V
12V
14V
16V
24V
10
6.0
4.0
2.0
0
–60 –50
0.1
10
5
0
50
100
150
0.01
0.00001 0.0001 0.001 0.01
0
0.1
1
10
100
0
50
100
0
150
I
D
(A)
TC （ ℃）
PW （S ）
Qg
（ NC ）
■
电容 - V
DS
特性（典型值）。
■
I
DR
—
V
SD
特性（典型值）。
50000
■
安全工作区（单脉冲）
■
P
D
—
T
C
特征
500
100
N
(O
)
（ TA = 25°C ）
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
70
60
50
（ TA = 25°C ）
P
T
ED
IT
120
100
80
=1
电容（pF）
P
T
P
T
0
µ
10000
西塞
M
LI
P
T
=1
=1
s
40
30
20
TA = 150℃
25°C
–55°C
10
R
P
D
(W)
I
DR
(A)
I
C
(A)
DS
=1
m
0m
s
s
00
µ
s
60
40
1000
科斯
CRSS
10
1
20
0.1
0.1
0
1
10
100
0
20
40
60
80 100 120 140 160
100
0
0
10
20
30
40
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
DS
(V)
V
SD
(V)
V
DS
(V)
TC （ ℃）
112
V
GS
(V)
SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
