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    2SK2803_05 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2803_05图片预览
    型号： 2SK2803_05
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET [MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 46 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
     浏览型号2SK2803_05的Datasheet PDF文件第2页  
    2SK2803
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    *
    1
    P
    D
    E
    AS
    *
    2
    I
    AS
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    450
    ±30
    ±3
    ±12
    30 （TC = 25℃ ）
    30
    3
    150
    -55到+150
    （ TA = 25°C ）
    外形尺寸1 ...... FM20
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    A
    A
    W
    mJ
    A
    ºC
    ºC
    V
    TH
    Re
    （ YFS ）
    R
    DS （ ON）
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    2.0
    1.5
    2.1
    2.1
    340
    75
    26
    18
    30
    45
    85
    0.9
    1.4
    2.8
    民
    450
    评级
    典型值
    最大
    ±100
    100
    4.0
    单位
    V
    nA
    µA
    V
    S
    Ω
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    I
    SD
    = 3A ，V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 1.5A ，V
    DD
    200V,
    R
    L
    = 133Ω, V
    GS
    = 10V,
    参见图2第5页。
    （ TA = 25°C ）
    单位
    V
    V
    条件
    I
    D
    = 100μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±30V
    V
    DS
    = 450V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = 20V ，我
    D
    = 1.5A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 1.5A
    V
    DS
    = 10V ， F = 1.0MHz的，
    V
    GS
    = 0V
    占空比1 ％
    W
    *
    1: P
    DD
    = 100μs的， L = 6.3mH ，我
    L
    = 3.0A,
    2: V
    30V,
    *
    参见图1第5页。
    松开，R
    G
    = 50Ω,
    I
    D
    – V
    DS
    特征
    （典型值）
    3.0
    10V
    6V
    5.5V
    I
    D
    – V
    GS
    特征
    （典型值）
    3.0
    V
    DS
    =20V
    R
    DS （ ON）
    – I
    D
    特征
    （典型值）
    4
    V
    GS
    =10V
    3
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    25°C
    – 55°C
    2.0
    2.0
    I
    D
    (A)
    I
    D
    (A)
    2
    5V
    1.0
    4.5V
    0
    V
    GS
    = 4V
    0
    5
    10
    15
    20
    1.0
    T
    C
    =125°C
    1
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    0
    0
    1
    2
    3
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    I
    D
    (A)
    Re
    （ YFS ）
    – I
    D
    特征
    （典型值）
    5
    V
    DS
    = 20V
    V
    DS
    – V
    GS
    特征
    （典型值）
    10
    8
    R
    DS （ ON）
    – T
    C
    特征
    （典型值）
    5
    I
    D
    =1.5A
    V
    GS
    =10V
    4
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    Re
    （ YFS ）
    (S)
    1
    V
    DS
    (V)
    T
    C
    = – 55°C
    25°C
    125°C
    I
    D
    =3A
    6
    3
    2
    1
    0
    4
    I
    D
    =1.5A
    0.5
    0.3
    0.05 0.1
    2
    0
    0.5
    1.0
    3.0
    3
    5
    10
    20
    —50
    0
    50
    100
    150
    I
    D
    (A)
    V
    GS
    (V)
    TC （ ℃）
    电容 - V
    DS
    特征
    （典型值）
    1000
    500
    V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    西塞
    I
    DR
    – V
    SD
    特征
    （典型值）
    3
    安全工作区
    20
    10 I
    D
    （脉冲）最大
    5
    I
    D
    最大
    S
    R
    D
    N)
    (O
    ED
    (T
    C
    = 25°C)
    10
    P
    D
    - 钽特点
    30
    0
    µ
    电容（pF）
    s
    W
    第i个
    2
    10
    DC
    OP
    1m
    m
    s(
    1s
    in
    s
    鳍
    I
    DR
    (A)
    I
    D
    (A)
    20
    ITE
    100
    50
    科斯
    1
    0.5
    V
    GS
    = 0V
    1
    5V,10V
    LI
    M
    IT
    ER
    ho
    N
    P
    D
    (W)
    at
    he
    AT
    t)
    罪
    k
    IO
    10
    0.1
    CRSS
    10
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    0
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    0.05
    0.03
    无需散热器
    3
    5
    10
    50 100
    500
    0
    0
    50
    100
    150
    V
    DS
    (V)
    V
    SD
    (V)
    V
    DS
    (V)
    TA （℃ ）
    39

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