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    2SK2710 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2710图片预览
    型号： 2SK2710
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET [MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 38 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
       
    2SK2710
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    *
    1
    P
    D
    E
    AS
    *
    2
    I
    AS
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    600
    ±30
    ±12
    ±48
    85 （TC = 25℃ ）
    400
    12
    150
    -55到+150
    （ TA = 25°C ）
    外形尺寸2 ...... FM100
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    A
    A
    W
    mJ
    A
    ºC
    ºC
    V
    TH
    Re
    （ YFS ）
    R
    DS （ ON）
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    2.0
    7.5
    3.0
    11
    0.42
    1900
    410
    240
    35
    45
    160
    70
    0.95
    1.5
    0.55
    民
    600
    评级
    典型值
    最大
    ±100
    100
    4.0
    单位
    V
    nA
    µA
    V
    S
    Ω
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    I
    SD
    = 12A ，V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 6A ，V
    DD
    = 250V,
    R
    L
    = 20.8Ω, V
    GS
    = 10V,
    参见图2第5页。
    （ TA = 25°C ）
    单位
    V
    V
    条件
    I
    D
    = 100μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±30V
    V
    DS
    = 600V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = 20V ，我
    D
    = 6A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 6A
    V
    DS
    = 10V ， F = 1.0MHz的，
    V
    GS
    = 0V
    占空比1 ％
    W
    *
    1: P
    DD
    = 100μs的， L = 5.5mH ，我
    L
    = 12A,
    2: V
    30V,
    *
    参见图1第5页。
    松开，R
    G
    = 50Ω,
    V
    DS
    — I
    D
    特征
    12
    10V
    10
    8
    5.5V
    10
    12
    V
    GS
    — I
    D
    特征
    0.5
    V
    DS
    = 20V
    0.4
    I
    D
    — R
    DS （ ON）
    特征
    V
    GS
    = 10V
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    8
    I
    D
    (A)
    I
    D
    (A)
    0.3
    6
    5V
    4
    2
    0
    6
    4
    2
    0
    T
    C
    = –55ºC
    25ºC
    125ºC
    0.2
    0.1
    0
    V
    GS
    = 4.5V
    0
    5
    10
    15
    20
    0
    2
    4
    6
    8
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    I
    D
    (A)
    I
    D
    • RE
    （ YFS ）
    特征
    20
    V
    DS
    = 20V
    10
    T
    C
    = –55ºC
    25ºC
    125ºC
    8
    10
    V
    GS
    — V
    DS
    特征
    1.2
    1.0
    T
    C
    — R
    DS （ ON）
    特征
    I
    D
    = 6A
    V
    GS
    = 10V
    V
    DS
    (V)
    6
    I
    D
    = 12A
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    20
    Re
    （ YFS ）
    (S)
    5
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    4
    I
    D
    = 6A
    2
    1
    0.5
    0.3
    0.05 0.1
    0
    0.5
    1
    5
    12
    4
    5
    10
    –50
    0
    50
    100
    150
    I
    D
    (A)
    V
    GS
    (V)
    TC （ ℃）
    V
    DS
    - 电容特性
    10000
    5000
    V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    西塞
    1000
    500
    科斯
    CRSS
    100
    50
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    12
    10
    V
    SD
    — I
    DR
    特征
    50
    安全工作区
    I
    D
    （脉冲）最大
    I
    D
    最大
    N)
    (O
    （ TC = 25 ° C）
    (1
    sh
    ot
    )
    钽 - P
    D
    特征
    90
    80
    70
    W
    电容（pF）
    M
    LI
    IT
    ED
    10
    0
    µ
    s
    10
    8
    I
    DR
    (A)
    I
    D
    (A)
    6
    V
    GS
    = 0V
    4
    2
    0
    0
    5V,10V
    OP
    E
    P
    D
    (W)
    5
    R
    D
    S
    1m
    s
    DC
    (1
    sh
    ot
    )
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    第i个
    f
    in
    i
    in
    RA
    T
    te
    he
    1
    0.5
    IO
    N
    s
    at
    in
    k
    无需散热器
    0
    50
    100
    150
    0.5
    1.0
    1.5
    0.1
    3
    5
    10
    50 100
    500 700
    0
    V
    DS
    (V)
    V
    SD
    (V)
    V
    DS
    (V)
    TA （℃ ）
    38

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