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    2SK2701 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2701图片预览
    型号： 2SK2701
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET [MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 38 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
       
    2SK2701
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    *
    1
    P
    D
    E
    AS
    *
    2
    I
    AS
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    450
    ±30
    ±7
    ±28
    35 （TC = 25℃ ）
    130
    7
    150
    -55到+150
    （ TA = 25°C ）
    外形尺寸1 ...... FM20
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    A
    A
    W
    mJ
    A
    ºC
    ºC
    V
    TH
    Re
    （ YFS ）
    R
    DS （ ON）
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    2.0
    3.5
    3.0
    5
    0.84
    720
    150
    65
    25
    40
    70
    50
    1.0
    1.5
    1.10
    民
    450
    评级
    典型值
    最大
    ±100
    100
    4.0
    单位
    V
    nA
    µA
    V
    S
    Ω
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    I
    SD
    = 7A ，V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 3.5A ，V
    DD
    = 200V,
    R
    L
    = 57Ω, V
    GS
    = 10V,
    参见图2第5页。
    （ TA = 25°C ）
    单位
    V
    V
    条件
    I
    D
    = 100μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±30V
    V
    DS
    = 450V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = 20V ，我
    D
    = 3.5A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 3.5A
    V
    DS
    = 10V ， F = 1.0MHz的，
    V
    GS
    = 0V
    占空比1 ％
    W
    *
    1: P
    DD
    = 100μs的， L = 5mH ，我
    L
    = 7A ，松开，R
    G
    = 50Ω,
    2: V
    30V,
    *
    参见图1第5页。
    V
    DS
    — I
    D
    特征
    7
    10V
    6
    5
    5.5V
    6
    7
    V
    GS
    — I
    D
    特征
    1.0
    V
    DS
    = 20V
    0.8
    5
    I
    D
    — R
    DS （ ON）
    特征
    V
    GS
    = 10V
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    T
    C
    = –55ºC
    25ºC
    125ºC
    0
    2
    4
    6
    8
    I
    D
    (A)
    3
    2
    1
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    V
    GS
    = 4.5V
    I
    D
    (A)
    4
    5V
    4
    3
    2
    1
    0
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    I
    D
    (A)
    I
    D
    • RE
    （ YFS ）
    特征
    10
    5
    T
    C
    = –55ºC
    25ºC
    125ºC
    10
    V
    DS
    = 20V
    8
    V
    GS
    — V
    DS
    特征
    2.5
    T
    C
    — R
    DS （ ON）
    特征
    I
    D
    = 3.5A
    V
    GS
    = 10V
    2.0
    V
    DS
    (V)
    6
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    20
    I
    D
    = 7A
    Re
    （ YFS ）
    (S)
    1.5
    1.0
    1
    0.5
    4
    I
    D
    = 3.5A
    2
    0
    0.5
    0
    0.2
    0.05 0.1
    0.5
    1
    5 7
    4
    5
    10
    –50
    0
    50
    100
    150
    I
    D
    (A)
    V
    GS
    (V)
    TC （ ℃）
    V
    DS
    - 电容特性
    2000
    1000
    V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    西塞
    7
    6
    5
    V
    SD
    — I
    DR
    特征
    50
    安全工作区
    I
    D
    （脉冲）最大
    ITE
    D
    1m
    （ TC = 25 ° C）
    钽 - P
    D
    特征
    40
    电容（pF）
    10
    I
    D
    最大
    5
    10
    0
    500
    P
    D
    (W)
    I
    DR
    (A)
    4
    3
    2
    1
    V
    GS
    = 0V
    5V,10V
    I
    D
    (A)
    R
    D
    S
    (
    ON
    IM
    )
    L
    µ
    s
    30
    W
    第i个
    in
    DC
    10
    m
    OP
    ER
    s
    s(
    鳍
    1s
    h
    1
    AT
    ot
    )
    20
    ITE
    he
    at
    100
    50
    科斯
    CRSS
    0.5
    IO
    N
    罪
    k
    10
    0.1
    无需散热器
    3
    5
    10
    50 100
    500
    0
    0
    50
    100
    150
    20
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    0
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    0.05
    V
    DS
    (V)
    V
    SD
    (V)
    V
    DS
    (V)
    TA （℃ ）
    29

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