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    2SK2420_05 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2420_05图片预览
    型号： 2SK2420_05
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET [MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 45 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
     浏览型号2SK2420_05的Datasheet PDF文件第2页  
    2SK2420
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    *
    1
    P
    D
    E
    AS
    *
    2
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    60
    ±20
    ±30
    ±120
    40 （TC = 25℃ ）
    38
    150
    -55到+150
    （ TA = 25°C ）
    外形尺寸1 ...... FM20
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    TH
    Re
    （ YFS ）
    R
    DS （ ON）
    西塞
    科斯
    t
    on
    2.0
    13
    20
    21
    2200
    850
    210
    145
    28
    民
    60
    ±100
    100
    4.0
    评级
    典型值
    最大
    单位
    V
    nA
    µA
    V
    S
    mΩ
    pF
    pF
    ns
    ns
    （ TA = 25°C ）
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    mJ
    ºC
    ºC
    条件
    I
    D
    = 100μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V
    V
    DS
    = 60V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 15A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 15A
    V
    DS
    = 25V ， F = 1.0MHz的，
    V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 15A ，V
    DD
    30V,
    R
    L
    = 2Ω, V
    GS
    = 10V,
    参见图2第5页。
    占空比1 ％
    W
    *
    1: P
    DD
    = 100μs的， L = 50μH ，我
    L
    = 30A,
    V
    50V,
    *
    2 ：参见图1第5页。
    松开，R
    G
    = 50Ω,
    t
    关闭
    I
    D
    – V
    DS
    特征
    （典型值）
    30
    10V
    5.5V
    6V
    20
    5V
    I
    D
    – V
    GS
    特征
    （典型值）
    30
    V
    DS
    = 10V
    R
    DS （ ON）
    – I
    D
    特征
    （典型值）
    40
    V
    GS
    =10V
    30
    20
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    4
    5
    6
    I
    D
    (A)
    I
    D
    (A)
    20
    10
    4.5V
    V
    GS
    = 4V
    10
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    10
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    0
    0
    10
    20
    30
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    I
    D
    (A)
    Re
    （ YFS ）
    – I
    D
    特征
    （典型值）
    40
    V
    DS
    = 10V
    V
    DS
    – V
    GS
    特征
    （典型值）
    1.5
    R
    DS （ ON）
    – T
    C
    特征
    （典型值）
    40
    I
    D
    = 15A
    V
    GS
    =10V
    30
    Re
    （ YFS ）
    (S)
    1.0
    5
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    1
    0.5
    0.3
    0.1
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    10
    V
    DS
    (V)
    20
    I
    D
    = 30A
    0.5
    I
    D
    = 15A
    10
    0
    0.5
    1
    5
    10
    30
    5
    10
    20
    0
    –50
    0
    50
    100
    150
    I
    D
    (A)
    V
    GS
    (V)
    TC （ ℃）
    电容 - V
    DS
    特征
    （典型值）
    6000
    V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    西塞
    I
    DR
    – V
    SD
    特征
    （典型值）
    30
    安全工作区
    200
    I
    D
    （脉冲）最大
    100
    N)
    D
    (O
    TE
    DS
    MI
    50
    R
    LI
    I
    D
    最大
    （ TC = 25 ° C）
    10
    0
    µ
    s
    P
    D
    - 钽特点
    40
    电容（pF）
    10V
    20
    10
    m
    OP
    1m
    s(
    1s
    s
    30
    W
    第i个
    P
    D
    (W)
    I
    DR
    (A)
    1000
    科斯
    500
    CRSS
    5V
    I
    D
    (A)
    10
    5
    DC
    ho
    t)
    in
    鳍
    ITE
    ER
    AT
    20
    he
    at
    IO
    罪
    10
    V
    GS
    = 0V
    1
    N
    k
    10
    0.5
    0.3
    0.5 1
    无需散热器
    5
    10
    50 100
    0
    0
    50
    100
    150
    100
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    0
    0
    0.5
    1.0
    1.2
    V
    DS
    (V)
    V
    SD
    (V)
    V
    DS
    (V)
    TA （℃ ）
    25

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