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    2SK1181 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1181图片预览
    型号： 2SK1181
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET [MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 37 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
       
    2SK1181
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    P
    D
    E
    AS
    *
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    500
    ±20
    ±13
    ±52
    （TCH
    150ºC)
    （ TA = 25°C ）
    外形尺寸2 ...... FM100
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    TH
    Re
    （ YFS ）
    R
    DS （ ON）
    西塞
    科斯
    t
    on
    t
    关闭
    2.0
    8.5
    13
    0.35
    2700
    350
    65
    180
    0.4
    民
    500
    ±500
    250
    4.0
    评级
    典型值
    最大
    单位
    V
    nA
    µA
    V
    S
    Ω
    pF
    pF
    ns
    ns
    （ TA = 25°C ）
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    mJ
    ºC
    ºC
    条件
    I
    D
    = 250μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V
    V
    DS
    = 500V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 6.5A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 6.5A
    V
    DS
    = 25V ， F = 1.0MHz的，
    V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 6.5A ，V
    DD
    = 250V,
    V
    GS
    = 10V,
    参见图2第5页。
    85 （TC = 25℃ ）
    660
    150
    -55到+150
    松开，
    V
    DD
    L=
    L
    *
    ：见= 50V ， 1 on7mH ， I5 = 13A ，
    科幻gure
    页面
    V
    DS
    — I
    D
    特征
    14
    12
    10
    10V
    12
    10
    V
    GS
    — I
    D
    特征
    0.5
    V
    DS
    = 10V
    0.4
    I
    D
    — R
    DS （ ON）
    特征
    V
    GS
    =10V
    I
    D
    (A)
    6
    4
    2
    0
    0
    5
    10
    15
    5V
    I
    D
    (A)
    8
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    8
    6
    4
    0.3
    0.2
    0.1
    0
    4.5V
    V
    GS
    = 4V
    20
    2
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    I
    D
    (A)
    I
    D
    • RE
    （ YFS ）
    特征
    20
    10
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    V
    DS
    = 10V
    10
    8
    V
    GS
    — V
    DS
    特征
    1.0
    0.8
    T
    C
    — R
    DS （ ON）
    特征
    I
    D
    = 6.5A
    V
    GS
    =10V
    Re
    （ YFS ）
    (S)
    5
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    V
    DS
    (V)
    6
    I
    D
    =13A
    4
    0.6
    0.4
    1
    2
    0.5
    0.3
    0.05 0.1
    0
    0.5 1
    5
    10 20
    2
    5
    I
    D
    = 8.5A
    0.2
    0
    10
    20
    –50
    0
    50
    100
    150
    I
    D
    (A)
    V
    GS
    (V)
    TC （ ℃）
    V
    DS
    - 电容特性
    10000
    5000
    V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    西塞
    10
    14
    12
    V
    SD
    — I
    DR
    特征
    100
    50
    安全工作区
    I
    D
    （脉冲）最大
    ED
    IT
    IM
    I
    D
    最大
    L
    )
    10
    N
    DC
    (O
    5
    R
    DS
    （ TC = 25 ° C）
    钽 - P
    D
    特征
    90
    80
    70
    第i个
    W
    1m
    电容（pF）
    10
    0
    µ
    s
    s
    (
    1s
    ho
    t)
    60
    P
    D
    (W)
    ITE
    鳍
    in
    I
    DR
    (A)
    8
    6
    4
    V
    GS
    = 0V
    5V,10V
    I
    D
    (A)
    1000
    500
    科斯
    1
    0.5
    O
    PE
    RA
    TI
    O
    N
    50
    40
    30
    20
    10
    无需散热器
    0
    50
    s
    at
    he
    k
    in
    100
    50
    0
    10
    20
    30
    CRSS
    40
    50
    2
    0
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    0.1
    1
    5 10
    50 100
    500 1000
    0
    100
    150
    V
    DS
    (V)
    V
    SD
    (V)
    V
    DS
    (V)
    TA （℃ ）
    12

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