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    2SK1180 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1180图片预览
    型号： 2SK1180
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET [MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 37 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
       
    2SK1180
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    P
    D
    E
    AS
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    500
    ±20
    ±10
    ±40
    （TCH
    150ºC)
    （ TA = 25°C ）
    外形尺寸2 ...... FM100
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    TH
    Re
    （ YFS ）
    R
    DS （ ON）
    西塞
    科斯
    t
    on
    t
    关闭
    2.0
    6.1
    9.2
    0.5
    1800
    250
    60
    140
    0.6
    民
    500
    ±500
    250
    4.0
    评级
    典型值
    最大
    单位
    V
    nA
    µA
    V
    S
    Ω
    pF
    pF
    ns
    ns
    （ TA = 25°C ）
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    mJ
    ºC
    ºC
    条件
    I
    D
    = 250μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V
    V
    DS
    = 500V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 5.0A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 5.0A
    V
    DS
    = 25V ， F = 1.0MHz的，
    V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 5A ，V
    DD
    = 250V,
    V
    GS
    = 10V,
    参见图2第5页。
    85 （TC = 25℃ ）
    *
    500
    150
    -55到+150
    松开，
    V
    DD
    L=
    L
    *
    ：见= 50V ， 1 on9mH ， I5 = 10A ，
    科幻gure
    页面
    V
    DS
    — I
    D
    特征
    10
    10V
    8
    5V
    6
    8
    10
    V
    GS
    — I
    D
    特征
    1.0
    V
    DS
    = 10V
    0.8
    I
    D
    — R
    DS （ ON）
    特征
    V
    GS
    =10V
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    I
    D
    (A)
    I
    D
    (A)
    6
    0.6
    4
    4.5V
    2
    V
    GS
    = 4V
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    4
    2
    0
    0.4
    0.2
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    I
    D
    (A)
    I
    D
    • RE
    （ YFS ）
    特征
    20
    V
    DS
    = 10V
    10
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    10
    8
    6
    4
    V
    GS
    — V
    DS
    特征
    1.4
    1.2
    T
    C
    — R
    DS （ ON）
    特征
    I
    D
    = 5A
    V
    GS
    =10V
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    Re
    （ YFS ）
    (S)
    5
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    V
    DS
    (V)
    I
    D
    =10A
    1
    2
    0.5
    0.3
    0.05 0.1
    0
    0.5
    1
    5
    10
    2
    5
    10
    I
    D
    = 5A
    20
    0
    –50
    0
    50
    100
    150
    I
    D
    (A)
    V
    GS
    (V)
    TC （ ℃）
    V
    DS
    - 电容特性
    5000
    西塞
    V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    10
    8
    V
    SD
    — I
    DR
    特征
    70
    安全工作区
    I
    D
    （脉冲）最大
    N)
    （ TC = 25 ° C）
    10
    0
    µ
    )
    钽 - P
    D
    特征
    90
    80
    电容（pF）
    1000
    10
    IT
    M
    R
    LI
    I
    D
    最大
    DS
    (O
    ED
    1m
    s(
    s
    1s
    h
    70
    第i个
    W
    ot
    60
    I
    DR
    (A)
    I
    D
    (A)
    500
    科斯
    100
    50
    30
    0
    10
    20
    30
    CRSS
    40
    50
    5
    DC
    P
    D
    (W)
    6
    4
    in
    OP
    50
    40
    30
    20
    10
    无需散热器
    0
    50
    鳍
    ITE
    ER
    罪
    at
    he
    V
    GS
    = 0V
    5V,10V
    AT
    1
    0.5
    IO
    N
    k
    2
    0
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    0.1
    5
    10
    50 100
    500 1000
    0
    100
    150
    V
    DS
    (V)
    V
    SD
    (V)
    V
    DS
    (V)
    TA （℃ ）
    11

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