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2SK1177图片预览
型号: 2SK1177
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内容描述: MOSFET [MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 1 页 / 37 K
品牌: SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
   
2SK1177
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
P
D
E
AS
*
总胆固醇
TSTG
评级
500
±20
±2.5
±10
(TCH
150ºC)
( TA = 25°C )
外形尺寸1 ...... FM20
电气特性
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
Re
( YFS )
R
DS ( ON)
西塞
科斯
t
on
t
关闭
2.0
1.5
2.3
2.6
350
54
50
140
3.0
500
±500
250
4.0
评级
典型值
最大
单位
V
nA
µA
V
S
pF
pF
ns
ns
( TA = 25°C )
单位
V
V
A
A
W
mJ
ºC
ºC
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 250µA
V
DS
= 10V ,我
D
= 1.4A
V
GS
= 10V ,我
D
= 1.4A
V
DS
= 25V , F = 1.0MHz的,
V
GS
= 0V
I
D
= 1.4A ,V
DD
= 250V,
V
GS
= 10V,
参见图2第5页。
30 (TC = 25℃ )
200
150
-55到+150
松开,
V
DD
= 50V, =
*
:参见图1Lon60mH , 5。我
L
= 2.5A,
页面
V
DS
— I
D
特征
3.0
10V
5.5V
3.0
V
GS
— I
D
特征
5
V
DS
= 10V
4
I
D
— R
DS ( ON)
特征
V
GS
=10V
R
DS ( ON)
(Ω)
T
C
= – 55ºC
25ºC
125ºC
0
2
4
6
8
10
2.0
2.0
I
D
(A)
I
D
(A)
3
2
1.0
5V
V
GS
= 4.5V
0
0
10
20
1.0
1
0
0
0
1.0
2.0
3.0
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
I
D
• RE
( YFS )
特征
10
V
DS
= 10V
5
8
10
V
GS
— V
DS
特征
6
5
T
C
— R
DS ( ON)
特征
I
D
= 1.5A
V
GS
=10V
R
DS ( ON)
(Ω)
Re
( YFS )
(S)
V
DS
(V)
T
C
= – 55ºC
25ºC
125ºC
1
0.5
0.3
0.05 0.1
0.5
1
5
I
D
= 2.5A
6
4
3
2
1
0
150
4
I
D
= 1.5A
2
0
2
5
10
20
–50
0
50
100
I
D
(A)
V
GS
(V)
TC ( ℃)
V
DS
- 电容特性
1000
500
西塞
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
3.0
V
SD
— I
DR
特征
20
10
5
2.0
安全工作区
I
D
(脉冲)最大
D
TE
DS
MI
ř李
我最大
D
(O
N)
( TC = 25 ° C)
10
钽 - P
D
特征
30
电容(pF)
0
µ
s
P
D
(W)
I
D
(A)
100
50
科斯
I
DR
(A)
DC
1m
s
O
PE
RA
W
第i个
20
f
in
ITE
in
1
0.5
he
V
GS
= 0V
1.0
5V,10V
TI
at
O
N
10
k
10
5
0
10
20
30
0.1
CRSS
40
50
0
0
0.5
1.0
1.5
0.03
3
5
10
50 100
500 1000
0
0
无需散热器
50
100
150
V
DS
(V)
V
SD
(V)
V
DS
(V)
TA (℃ )
8