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    K6F2008U2E-YF70 参数 Datasheet PDF下载

    K6F2008U2E-YF70图片预览
    型号： K6F2008U2E-YF70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 177 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6F2008U2E-YF70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6F2008U2E-YF70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6F2008U2E-YF70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6F2008U2E-YF70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6F2008U2E-YF70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6F2008U2E-YF70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6F2008U2E-YF70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6F2008U2E-YF70的Datasheet PDF文件第9页  
    K6F2008U2E家庭
    文档标题
    256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
    CMOS SRAM
    修订历史
    修订历史号
    0.0
    1.0
    2.0
    最初的草案
    敲定
    修改
    - 增加了48 （ 36 ） -TBGA - 6.00x7.00产品。
    草案日期
    2001年2月28日
    备注
    初步
    2001年9月27日决赛
    2002年4月30日
    最终科幻
    所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
    产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
    1
    2.0版
    2002年4月

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