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    K6F1008V2C-YF55 参数 Datasheet PDF下载

    K6F1008V2C-YF55图片预览
    型号： K6F1008V2C-YF55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128Kx8位超低功耗和低电压CMOS静态RAM [128Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 129 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6F1008V2C-YF55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6F1008V2C-YF55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6F1008V2C-YF55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6F1008V2C-YF55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6F1008V2C-YF55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6F1008V2C-YF55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6F1008V2C-YF55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6F1008V2C-YF55的Datasheet PDF文件第9页  
    K6F1008V2C家庭
    文档标题
    128Kx8位超低功耗和低电压CMOS静态RAM
    CMOS SRAM
    修订历史
    版本号
    0.0
    0.1
    历史
    最初的草案
    修改
    - 改变封装类型
    ： 48 （36） -TBGA - 6.00x7.00至32 TSOP1-0813.4F
    敲定
    数据稿
    2001年11月27日
    2001年12月13日
    备注
    初步
    初步
    1.0
    2002年6月12日
    最终科幻
    所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
    产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
    1
    修订版1.0
    2002年6月

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