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62256 参数 Datasheet PDF下载

62256图片预览
型号: 62256
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内容描述: 32Kx8位低功耗CMOS静态RAM [32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 161 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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KM62256C家庭
建议的直流工作条件
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
4.5
0
2.2
-0.5
3)
1)
CMOS SRAM
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5V
2)
0.8
单位
V
V
V
V
1.商业产品:T已
A
= 0至70℃ ,除非另有说明
扩展产品:T已
A
= -25至85℃ ,除非另有说明
工业产品:T已
A
= -40至85℃ ,除非另有说明
2.过冲: V
CC
+ 3.0V的情况下,脉冲width≤30ns的
3.冲: -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的
4.过冲和下冲采样,而不是100 %测试
电容
1)
( F = 1MHz的,T
A
=25°C)
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样,而不是100 %测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
DC和工作特性
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流( TTL )
KM62256CL
KM62256CL-L
待机电流
( CMOS)的
KM62256CLE
KM62256CLE-L
KM62256CLI
KM62256CLI-L
1. 20毫安的扩展和工业产品
2. 10毫安的扩展和工业产品
3. 2毫安的扩展和工业产品
测试条件
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安, CS = V
白细胞介素,
V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间, 100 %的关税,我
IO
=0mA
CS≤0.2V ,V
IN
≤0.2V,
V
IN
-vcc
-0.2V
周期时间=最小, 100 %的关税,我
IO
= 0毫安, CS = V
白细胞介素,
V
IN
=V
IH
或V
IL
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
L(低功耗)
LL (L低功耗)
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
7
-
-
-
-
-
2
1
-
-
-
-
最大
1
1
15
1)
7
2)
70
0.4
-
1
3)
100
20
100
50
100
50
单位
µA
µA
mA
mA
mA
V
V
mA
µA
µA
µA
V
OL
V
OH
I
SB
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS = V
IH
,其它输入= V
IH
或V
IL
I
SB1
CS≥Vcc-0.2V,
其他输入= 0 〜 Vcc的
L(低功耗)
LL (L低功耗)
L(低功耗)
LL (L低功耗)
4
修订版4.0
1997年12月