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K9F5616Q0B-DIB0 参数 Datasheet PDF下载

K9F5616Q0B-DIB0图片预览
型号: K9F5616Q0B-DIB0
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内容描述: 32M ×8位, 16M x 16位NAND闪存 [32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 34 页 / 602 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG ]
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K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0  
K9F5608Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0  
K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0  
K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0  
K9F5616Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0  
K9F5616U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0  
K9F5616U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0  
FLASH MEMORY  
SEQUENTIAL ROW READ OPERATION (only for K9F5608U0B-Y,P and K9F5608U0B-V,F, Valid with in a block)  
CLE  
CE  
WE  
ALE  
RE  
Dout  
N
Dout  
N+1  
Dout  
N+2  
Dout  
527  
Dout  
0
Dout  
1
Dout  
2
Dout  
527  
Col. Add Row Add1 Row Add2  
00h  
I/Ox  
R/B  
Ready  
Busy  
Busy  
M
M+1  
Output  
N
Output  
PAGE PROGRAM OPERATION  
CLE  
CE  
tWC  
tWC  
tWC  
WE  
tPROG  
tWB  
ALE  
RE  
N Address  
Din  
m
Din  
N
Din  
N+1  
10h  
Program  
80h  
Row Add1 Row Add2  
70h  
I/O0  
Col. Add  
I/Ox  
R/B  
Sequential Data Column  
Input Command Address  
1 up to m Data  
Serial Input  
Read Status  
Command  
Page(Row)  
Address  
Command  
I/O0=0 Successful Program  
I/O0=1 Error in Program  
X8 device : m = 528 byte  
X16 device : m = 264 word  
24  
 复制成功!