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K9F5616Q0B-DIB0 参数 Datasheet PDF下载

K9F5616Q0B-DIB0图片预览
型号: K9F5616Q0B-DIB0
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内容描述: 32M ×8位, 16M x 16位NAND闪存 [32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 34 页 / 602 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG ]
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K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0  
K9F5608Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0  
K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0  
K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0  
K9F5616Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0  
K9F5616U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0  
K9F5616U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0  
FLASH MEMORY  
* Input Data Latch Cycle  
tCLH  
CLE  
tCH  
CE  
tWC  
tALS  
ALE  
tWP  
tWP  
tWP  
WE  
tWH  
tDH  
tDH  
tDH  
tDS  
tDS  
tDS  
I/Ox  
DIN 0  
DIN 1  
DIN n  
* Serial access Cycle after Read(CLE=L, WE=H, ALE=L)  
tRC  
CE  
tCHZ*  
tOH  
tREH  
tREA  
tREA  
tREA  
tRP  
RE  
tRHZ*  
tRHZ*  
tOH  
I/Ox  
Dout  
Dout  
Dout  
tRR  
R/B  
NOTES : Transition is measured ±200mV from steady state voltage with load.  
This parameter is sampled and not 100% tested.  
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