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    K4S561632E-TC75 参数 Datasheet PDF下载

    K4S561632E-TC75图片预览
    型号： K4S561632E-TC75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54]
    分类和应用： 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 14 页 / 200 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第9页  
    SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16)
    FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
    CMOS SDRAM
    I/O Control
    LWE
    LDQM
    Data Input Register
    Bank Select
    16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16
    Sense AMP
    16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16
    16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16
    16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16
    Refresh Counter
    Output Buffer
    Row Decoder
    Row Buffer
    DQi
    Address Register
    CLK
    ADD
    Column Decoder
    Col. Buffer
    Latency & Burst Length
    LRAS
    LCBR
    LCKE
    LRAS
    LCBR
    LWE
    LCAS
    Timing Register
    Programming Register
    LWCBR
    LDQM
    CLK
    CKE
    CS
    RAS
    CAS
    WE
    L(U)DQM
    * Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
    Rev. 1.2 June. 2003

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