K4E660411D, K4E640411D
CMOS DRAM
PIN CONFIGURATION
(Top Views)
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K4E660411D-J
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K4E640411D-J
V
CC
DQ0
DQ1
N.C
N.C
N.C
N.C
W
RAS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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19
18
17
V
SS
DQ3
DQ2
N.C
N.C
N.C
CAS
OE
A12(N.C)*
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
V
CC
DQ0
DQ1
N.C
N.C
N.C
N.C
W
RAS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
•
K4E660411D-T
•
K4E640411D-T
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
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15
16
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26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
SS
DQ3
DQ2
N.C
N.C
N.C
CAS
OE
A12(N.C)*
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
(J : 400mil SOJ)
(T : 400mil TSOP(II))
* (N.C) : N.C for 4K Refresh product
Pin Name
A0 - A12
A0 - A11
DQ0 - 3
V
SS
RAS
CAS
W
OE
V
CC
N.C
Pin Function
Address Inputs(8K Product)
Address Inputs(4K Product)
Data In/Out
Ground
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Read/Write Input
Data Output Enable
Power(+5.0V)
No Connection
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
