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K4E160812D 参数 Datasheet PDF下载

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型号: K4E160812D
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内容描述: 2米x 8位CMOS动态随机存储器与扩充数据输出 [2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 21 页 / 257 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG ]
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K4E170811D, K4E160811D  
K4E170812D, K4E160812D  
CMOS DRAM  
WRITE CYCLE ( OE CONTROLLED WRITE )  
NOTE : DOUT = OPEN  
tRC  
tRAS  
tRP  
VIH -  
RAS  
VIL -  
tCSH  
tCRP  
tCRP  
tRCD  
tRSH  
tCAS  
VIH -  
VIL -  
CAS  
tRAD  
tASC  
tRAL  
tASR  
tRAH  
tCAH  
COLUMN  
ADDRESS  
VIH -  
VIL -  
ROW  
ADDRESS  
A
W
tCWL  
tRWL  
VIH -  
VIL -  
tWP  
VIH -  
VIL -  
OE  
tOEH  
tOED  
tDS  
DQ0 ~ DQ3(7)  
VIH -  
VIL -  
tDH  
DATA-IN  
Don¢t care  
Undefined  
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