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K4B2G0846D-HYH9 参数 Datasheet PDF下载

K4B2G0846D-HYH9图片预览
型号: K4B2G0846D-HYH9
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内容描述: 2GB D-死DDR3L SDRAM [2Gb D-die DDR3L SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 64 页 / 1744 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG ]
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Rev. 1.01  
K4B2G0446D  
K4B2G0846D  
datasheet  
DDR3L SDRAM  
[ Table 34 ] IDD0 Measurement - Loop Pattern1)  
0
0
1,2  
ACT  
D, D  
D, D  
0
1
1
0
0
1
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
00  
00  
00  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
-
-
-
3,4  
...  
repeat pattern 1...4 until nRAS - 1, truncate if necessary  
PRE  
repeat pattern 1...4 until nRC - 1, truncate if necessary  
nRAS  
0
0
1
0
0
0
00  
0
0
0
0
-
...  
1*nRC + 0  
1*nRC + 1, 2  
1*nRC + 3, 4  
...  
ACT  
D, D  
D, D  
0
1
1
0
0
1
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
00  
00  
00  
0
0
0
0
0
0
F
F
F
0
0
0
-
-
-
repeat pattern 1...4 until 1*nRC + nRAS - 1, truncate if necessary  
PRE 00  
1*nRC + nRAS  
...  
0
0
1
0
0
0
0
0
F
0
repeat 1...4 until 2*nRC - 1, truncate if necessary  
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 1 instead  
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 2 instead  
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 3 instead  
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 4 instead  
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 5 instead  
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 6 instead  
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 7 instead  
1
2
3
4
5
6
7
2*nRC  
4*nRC  
6*nRC  
8*nRC  
10*nRC  
12*nRC  
14*nRC  
NOTE :  
1. DM must be driven LOW all the time. DQS, DQS are MID-LEVEL.  
2. DQ signals are MID-LEVEL.  
- 36 -  
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