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K4B2G0846D-HYH9 参数 Datasheet PDF下载

K4B2G0846D-HYH9图片预览
型号: K4B2G0846D-HYH9
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内容描述: 2GB D-死DDR3L SDRAM [2Gb D-die DDR3L SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 64 页 / 1744 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG ]
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Rev. 1.01  
K4B2G0446D  
K4B2G0846D  
datasheet  
DDR3L SDRAM  
Begin point : Rising edge of CK - CK  
defined by the end point of ODTLon  
CK  
CK  
V
TT  
t
AON  
T
SW2  
T
SW1  
DQ, DM  
DQS , DQS  
TDQS , TDQS  
V
SW2  
V
SW1  
VSSQ  
VSSQ  
End point Extrapolated point at VSSQ  
Figure 14. Definition of tAON  
Begin point : Rising edge of CK - CK  
with ODT being first registered high  
CK  
CK  
V
TT  
t
AONPD  
T
SW2  
T
SW1  
DQ, DM  
DQS , DQS  
TDQS , TDQS  
V
SW2  
V
SW1  
VSSQ  
VSSQ  
End point Extrapolated point at VSSQ  
Figure 15. Definition of tAONPD  
Begin point : Rising edge of CK - CK  
defined by the end point of ODTLoff  
CK  
CK  
V
TT  
t
AOF  
End point Extrapolated point at VRTT_Nom  
VRTT_Nom  
T
SW2  
T
DQ, DM  
SW1  
DQS , DQS  
V
SW2  
V
TDQS , TDQS  
SW1  
VSSQ  
TD_TAON_DEF  
Figure 16. Definition of tAOF  
- 30 -  
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