S T U / D426S
S amHop微电子Ç ORP 。
2007年10月了Ver.1.1
NC hannel逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
V
DS S
40V
˚F ê乌尔(E S)
S UPER高密度电池设计低R
DS (ON
).
I
D
53A
R
DS ( ON) (M
Ω
)
牛逼YP
8 @ V
的s
= 10V
10 @ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
TO- 252和TO- 251 P ackage 。
D
D
G
S
G
D
S
G
S TU性S E ř IE S
TO- 252AA (D -P AK )
的TD性S E ř IE S
的TO- 251 (1- P AK)的
S
ABS OLUTE最大R ATINGS ( TA = 25 C除非另有说明)
参数
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏电流连续
a
S ymbol
V
DS
V
GS
@大= 25℃
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
@
TA = 25℃
P
D
T
J
, T
s TG
极限
40
20
53
100
20
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
C
-Pulsed
漏-S环境允许的二极管正向电流
雪崩电流
雪崩能量
c
c
20
100
50
-55至175
最大P奥尔耗散
工作结点和S torage
温度ř法兰
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到C的酶
热ř esistance ,结到环境
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
1