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STU320S 参数 Datasheet PDF下载

STU320S图片预览
型号: STU320S
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 250 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STU/D320S
版本1.0
40
V =
GS
10V
V = 5V
GS
4.
20
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
32
V =
GS
5V
V =
GS
4V
16
24
V = 5V
GS
3.
16
V =
GS
3V
12
8
TJ ?
125C
4
0
-55C
25C
8
0
0
0. 5
1
1. 5
2
2. 5
3
0
0. 7
1. 4
2. 1
2. 8
3. 5
4. 2
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
60
50
图2.传输特性
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.0
V
的s
=4.5V
I
D
=12.5A
V
的s
=10V
I
D
=15A
R
DS ( ON)
(m
)
40
30
20
10
1
V =
GS
10V
V = 5V
GS
4.
R
DS ( ON)
,导通电阻
1
8
16
24
32
40
0
25
50
75
100
125
150
T J (
°C )
I
D
,漏电流( A)
TJ ,结温( ° C)
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
1.3
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
BVDSS ,归
漏源击穿电压
1.15
I
D
=
250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Vth时,归一化
门源阈值电压
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
V =
GS
DS
V
I
D
=
250uA
100
125
150
TJ ,结温( ° C)
TJ ,结温( ° C)
图5.门阈值变化
随温度
3
图6.击穿电压变化
随温度
Aug,11,2008
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