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STU20N03L 参数 Datasheet PDF下载

STU20N03L图片预览
型号: STU20N03L
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内容描述: N沟道逻辑E级nhancement模式F屈服ê ffect晶体管 [N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 798 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STU/D20N03L
电气特性(T
C
= 25°C除非另有说明)
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
a
符号
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 10A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ,我
D
= 20A
最小典型最大单位
30
1
100
1
1.5
17
30
50
8
614
83
61
2.5
V
uA
nA
V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
b
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
23
兆欧
39
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
b
V
Ds
=25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
t
t
D(关闭)
t
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
V
DD
= 15V
I
D
=1A
V
GS
= 10V
R
L
= 15 ohmR
= 11
欧姆
V
DD
= 15V ,我
D
= 1A ,V
GS
=10V
V
DS
= 15V ,我
D
= 1A ,V
GS
=4.5V
V
DD
= 15V ,我
D
= 1A
RL = 15欧姆
15.2
4.5
23.3
12.7
17.8
8.8
2.8
3
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC