S T S 8201
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
=250uA
6
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
60
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
15.0
I
D
=5A
是,S环境允许的漏电流( A)
50
12.0
9.0
6.0
125 C
R
DS ( ON)
(m
W
)
40
30
20
10
0
125 C
75 C
25 C
3.0
75 C
25 C
0
2
2.5
3
3.5
4
1.0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
的s
,G吃-S环境允许的电压(V )
V
S.D。
,B ODY二极管˚F orward V oltage ( V)
˚F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
4