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    STS2321 参数 Datasheet PDF下载

    STS2321图片预览
    型号： STS2321
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    内容描述： P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 622 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STS2321的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STS2321的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STS2321的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STS2321的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STS2321的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STS2321的Datasheet PDF文件第7页  
    SAMHOP微电子股份有限公司
    STS2321
    十月0.29 2004年
    V1.1
    P沟道增强型场效应晶体管
    产品概述
    V
    DSS
    -20V
    特点
    ( m
    W
    ）最大
    I
    D
    -3.2A
    R
    DS （ ON）
    超级高密度电池设计低R
    DS （上
    ).
    65 @ V
    GS
    = -4.5V
    90 @ V
    GS
    =-2.5V
    坚固可靠。
    SOT- 23封装。
    D
    SOT-23
    D
    S
    G
    G
    S
    绝对最大额定值（T
    A
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续
    a
    @T
    J
    =25 C
    b
    -Pulsed
    漏源二极管的正向电流
    a
    最大功率耗散
    a
    工作结存储
    温度范围
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    I
    S
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    极限
    -20
    10
    -3.2
    -11
    -1.25
    1.25
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    C
    热特性
    热阻，结到环境
    a
    R
    thJA
    100
    C / W
    1

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