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型号: STP434S
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 232 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STB/P434S
S A mHop微电子Ç ORP 。
版本1.0
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
产品概述
V
DSS
40V
特点
超级高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
坚固可靠。
的TO-220和TO- 263封装。
I
D
60A
R
DS ( ON)
(m
)最大
9.2
@
VGS=10V
11.5
@
VGS=4.5V
D
D
G
S
G
D
S
G
STP系列
TO-220
STB系列
TO-263(DD-PAK)
S
绝对最大额定值(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
T
J,
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
b
d
a
极限
40
±20
T
C
=25°C
T
C
=70°C
60
48
176
91
T
C
=25°C
T
C
=70°C
62.5
40
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
事务所脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储
温度范围
热特性
R
JC
R
JA
热阻,结到外壳
a
a
2
62.5
° C / W
° C / W
热阻,结到环境
详细信息如有变更,恕不另行通知。
Nov,14,2008
1
www.samhop.com.tw