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STP432S 参数 Datasheet PDF下载

STP432S图片预览
型号: STP432S
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内容描述: N沟道逻辑增强型场效应晶体管 [N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 241 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STB/P432S
版本1.0
电气特性
(
T
C
=25
°
C除非另有说明
)
4
符号
参数
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
DS
=32V , V
GS
=0V
40
典型值
最大
单位
V
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
漏源导通电阻
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
1
±100
1
1.7
7
9
26
1600
280
150
20
21
45
16
32
15
3.5
7.3
30
0.95
1.3
3
9
11
uA
nA
V
兆欧
兆欧
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
A
V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=30A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=28A
V
DS
= 10V ,我
D
=30A
正向跨导
动态特性
c
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
c
开关特性
t
D(上)
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
V
DS
=15V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
V
DD
=15V
I
D
=30A
V
GS
=10V
R
= 3.3欧姆
V
DS
=15V,I
D
=30A,V
GS
=10V
V
DS
=15V,I
D
=28A,V
GS
=4.5V
V
DS
=15V,I
D
=30A,
V
GS
=10V
栅极 - 漏极电荷
c
漏源二极管的特性
最大连续漏源二极管的正向电流
I
S
V
SD
二极管的正向电压
V
GS
=0V,I
S
=30A
笔记
_
a.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300US ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
d.Starting牛逼
J
=25
°
C,L=1.25mH,R
G
=25
,V
DD
= 20V (见Figure13 )
Jun,24,2008
2
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