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    STM8320 参数 Datasheet PDF下载

    STM8320图片预览
    型号： STM8320
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    内容描述： 双增强模式场效应晶体管（ N和P沟道） [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 253 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STM8320的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STM8320的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STM8320的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STM8320的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STM8320的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STM8320的Datasheet PDF文件第9页浏览型号STM8320的Datasheet PDF文件第10页浏览型号STM8320的Datasheet PDF文件第11页  
    STM8320
    版本1.0
    100
    90
    20.0
    是，源极 - 漏极电流（ A）
    I
    D
    =-6.0A
    10.0
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    80
    60
    125
    C
    40
    20
    0
    75 C
    25 C
    125 C
    25 C
    75 C
    1.0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0.25
    0.5
    0.75
    1.0
    1.25
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图7.导通电阻与
    栅源电压
    图8.体二极管正向电压
    变化与源电流
    1200
    1000
    10
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    C，电容（pF ）
    西塞
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    V
    DS
    =-15V
    I
    D
    =-6.0A
    800
    600
    400
    200
    CRSS
    科斯
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    3
    6
    9
    12
    15
    18
    21
    24
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    QG ，总栅极电荷（ NC）
    图9.电容
    图10.栅极电荷
    250
    Tr
    80
    L
    N)
    im
    it
    10
    10
    1m
    s
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    切换时间（纳秒）
    100
    60
    10
    TD （关闭）
    Tf
    10
    R
    D
    S
    (O
    0u
    s
    TD （上）
    ms
    1
    V
    的s
    =10V
    S英格尔P ulse
    T C = 25°C
    DC
    1
    1
    V
    DS
    =-15V,I
    D
    =-6.0A
    V
    GS
    =-10V
    6 10
    60 100 300 600
    0.1
    0.05
    0.1
    1
    10
    100
    RG ，栅极电阻（
    Ω
    )
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图11.开关特性
    图12.最大安全工作区
    Sep,17,2008
    8
    www.samhop.com.tw

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