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STM8306 参数 Datasheet PDF下载

STM8306图片预览
型号: STM8306
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内容描述: 双ê nhancement模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 777 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T M8306
P沟道电气特性(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
S ymbol
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250uA
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250uA
V
GS
= -10V ,我
D
= -5A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -4A
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V
V
DS
= -15V ,我
D
= - 5A
最小值典型值
C
最大单位
-30
-1
V
uA
100 nA的
-1
-1.7
29
42
-20
9.6
850
235
150
-3
V
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老ř esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
38
兆欧
52
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
c
输入电容
输出电容
ř EVERSE传输电容
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ř ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
D
= -15V,
R
L
= 15欧姆,
I
D
= -1A,
V
GE ñ
= -10V,
R
= 6欧姆
V
DS
=-15V,I
D
=-5A,V
GS
=-10V
V
DS
=-15V,I
D
=-5A,V
GS
=-4.5V
V
DS
= -15V ,我
D
= - 5A,
V
GS
=-10V
3
11
23
45
48
17.1
9.3
1.5
5.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC