S T M8303
P - C hannel
5
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=-250
uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
I
D
=-250uA
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
15
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
g
F小号
,T失败者电导( S)
-is ,S环境允许的漏电流( A)
20
12
9
6
3
0
0
5
10
V
DS
=-5V
15
10.0
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-I
DS
,排水-S环境允许光凭目前ç (A )
-V
S.D。
,B ODY二极管˚F orward V oltage ( V)
˚F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前Ç
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
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