S T M7822
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
I
D
=250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
以T emperature
42
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20
10
g
F小号
，T失败者电导（ S）
28
21
14
7
0
0
5
10
15
V
DS
=10V
20
25
是，S环境允许的漏电流（ A）
35
1
0
0.5
0.6
0.7
0.8
T
J
=25 C
0.9
1.0
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前ç （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管˚F orward V oltage （ V）
˚F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前Ç
5
I
D
，排水光凭目前Ç （A ）
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
60
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
(O
4
3
2
1
0
0
V
DS
=16V
I
D
=14A
10
N)
升IM
it
R
D
S
10
10
0m
s
ms
11
DC
1s
0.1
0.03
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
0.1
1
10
20
50
6
12 18
24
30
36 42 48
QG ，T otal摹吃ç哈耶（ NC）
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
˚F igure 9.摹吃Ç哈耶
˚F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
4
SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
