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STM7821 参数 Datasheet PDF下载

STM7821图片预览
型号: STM7821
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内容描述: N沟道é nhancement模式场效应晶体管 [N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 677 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T M7821
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 10A
最小典型最大单位
0.845 1.2
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A.Ş urface安装在FR 4局,T 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
d.Guaranteed当外部R G = 6欧姆和TF < TF最大
20
25
V
的s
=4V
V
的s
=4.5V
16
20
25 C
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
V
的s
=10V
V
的s
=3.5V
12
15
8
4
0
V
的s
=3V
10
T J = 125℃
5
0
0.0
-55 C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.7
1.4
2.1
2.8
3.5
4.2
V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
˚F igure 1输出C haracteris抽动
2.2
3000
2400
1800
C为S
1200
600
Ç RS s
0
0
5
10
15
20
25
30
0
˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
V
的s
=10V
I
D
=9A
R
DS ( ON)
,在-R es是tance
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
C,C apacitance (PF )
Ç OS s
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T J ( C)
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
˚F igure 3. Ç apacitance
˚F igure 4.在-R es是tance与变化
温度
3