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STM7064N 参数 Datasheet PDF下载

STM7064N图片预览
型号: STM7064N
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内容描述: N沟道é nhancement模式场效应晶体管 [N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 688 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STM7064N
电气特性(T
C
= 25°C除非另有说明)
参数
二极管的正向电压
符号
b
条件
V
GS
= 0V ,是= 1.7A
最小典型最大单位
0.74
1.3
V
漏源二极管的特性
V
SD
笔记
a.Surface安装在FR4板,T < = 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
25
V
GS
=10V
20
20
V
GS
=4.5V
15
I
D
,漏电流( A)
15
V
GS
=3V
I
D
,漏电流( A)
V
GS
=8V
25 C
10
TJ = 125℃
5
-55 C
10
5
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.7
1.4
2.1
2.8
3.5
4.2
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
12.0
1.6
图2.传输特性
V
GS
=4.5V
R
DS ( ON)
,导通电阻
10.0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-55
V
GS
=4.5V
I
D
=12A
V
GS
=10V
I
D
=16A
R
DS ( ON)
(m
W
)
8.0
6.0
4.0
2.0
0
V
GS
=10V
0
5
10
15
20
25
-25
0
25
50
75
100
125
TJ ( C)
I
D
,漏电流( A)
TJ ,结温( C)
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
图4.在-R esistance VS.温度
温度
3