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STM6924 参数 Datasheet PDF下载

STM6924图片预览
型号: STM6924
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 188 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STM6924
版本1.0
电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
DS
=32V , V
GS
=0V
40
典型值
最大
单位
V
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
1
±100
uA
nA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=6.8A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=5.3A
V
DS
= 5V ,我
D
=6.8A
1
1.8
23
35
12
3
28
46
V
兆欧
兆欧
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
c
V
DS
=20V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
825
80
64
15.5
13.5
17
18
13
6.5
2
3.6
1.7
0.78
1.3
开关特性
t
D(上)
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
=20V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
=3.3ohm
V
DS
=20V,I
D
=6.8A,V
GS
=10V
V
DS
=20V,I
D
=6.8A,V
GS
=4.5V
V
DS
=20V,I
D
=6.8A,
V
GS
=4.5V
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
I
S
V
SD
V
GS
=0V,I
S
=1.7A
二极管的正向电压
b
A
V
笔记
_
a.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300US ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
d.Starting牛逼
J
=25
°
C,L=0.5mH,V
DD
= 20V,V
GS
= 10V (见Figure13 )
Nov,07,2008
2
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