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    STM6920 参数 Datasheet PDF下载

    STM6920图片预览
    型号： STM6920
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N信道E nhancement模式场效应晶体管 [Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 718 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STM6920的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STM6920的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STM6920的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STM6920的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STM6920的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STM6920的Datasheet PDF文件第7页  
    S T M6920
    N沟道电气特性（T
    A
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    5
    S ymbol
    BV
    DS S
    I
    DS S
    I
    GS S
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    I
    D（上）
    g
    FS
    c
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250uA
    V
    DS
    = 32V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = 25V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250uA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 6A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 5A
    V
    DS
    = 5V, V
    GS
    = 10V
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    = 6A
    最小值典型值
    C
    最大单位
    40
    1
    V
    uA
    100 nA的
    1
    1.8
    20
    35
    15
    8
    947
    117
    77
    2
    16.7 19
    3.6
    10.1
    5
    14
    24
    12
    4
    5
    28.7 38
    18.2
    8.7
    2.8
    3.3
    1231
    152
    100
    2.5
    25
    45
    V
    兆欧
    兆欧
    关煤焦ACTE R是TICS
    漏-S环境允许的击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    对煤焦ACTE R是TICS
    b
    栅极阈值电压
    漏-S环境允许在-S大老ř esistance
    在-S大老漏电流
    正向跨导
    A
    S
    P
    F
    P
    F
    P
    F
    动态煤焦ACTE R是TICS
    输入电容
    输出电容
    ř EVERSE传输电容
    栅极电阻
    C
    为s
    C
    OS s
    C
    RSS
    Rg
    c
    V
    DS
    =25V, V
    GS
    = 0V
    F = 1.0MH
    Z
    V
    GS
    =0V, V
    DS
    = 0V ， F = 1.0MH
    Z
    V
    DD
    = 20V
    I
    D
    = 1 A
    V
    GS
    = 10V
    R
    GE ñ
    = 3.3欧姆
    V
    DS
    = 20V ，我
    D
    =6A,V
    GS
    =10V
    V
    DS
    = 20V ，我
    D
    =6A,V
    GS
    =4.5V
    欧姆
    S迷惑煤焦ACTE R是TICS
    导通延迟时间
    ř ISE时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    门-S环境允许充电
    栅极 - 漏极电荷
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    = 20V ，我
    D
    = 6 A
    V
    GS
    =4.5V
    2

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