S T M6375
S amHop微电子Ç ORP 。
S ep.21,2004
P - C hannel ê nhancement模式的MOS FE牛逼
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
V
DS S
-20V
˚F ê乌尔(E S)
( m
W
)最大
I
D
-8A
R
DS ( ON)
S UPER高密度电池设计低R
DS (ON
).
20 @ V
的s
= -4.5V
28 @ V
的s
= -2.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
D
8
D
7
D
6
D
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
S
S
G
ABS OLUTE最大R ATINGS (T
A
= 25°C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous
a
@ T
J
=25 C
b
-P ulsed
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度ř法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
- 20
10
-8
- 32
-1.7
2.5
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到环境
a
R
JA
50
C / W
1