S T M4532
P - C hannel
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.09
1.06
1.03
1.00
0.9
0.6
0.3
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
1.15
I
D
=-250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-55 -25
0
25
50
75
100 125 150
5
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
10
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
T
J
=25 C
g
F小号
,T失败者电导( S)
6
4
2
V
DS
=-15V
0
0
5
10
15
20
-is ,S环境允许的漏电流( A)
8
10.0
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-I
DS
,排水-S环境允许光凭目前ç (A )
-V
S.D。
,B ODY二极管˚F orward V oltage ( V)
˚F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前Ç
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
7