STM4437 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STM4437
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内容描述：	P -Channel增强型MOS场效应管 [P -Channel Enhancement Mode MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 643 K
品牌：	SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]

S T M4437

Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T

= 25°C除非另有说明）

参数

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

= 0V时，我

= -250uA

= -24V, V

= 0V

= 25V, V

=0V

= V

, I

= -250uA

= -20V ，我

= -10A

= -10V ，我

= -10A

= -4.5V ，我

= -10A

在-S大老漏电流

正向跨导

D（上）

S ymbol

条件

最小值典型值

最大单位

-30

-1

100

-1

-1.8

2963

641

276

-2.5

M-欧姆

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老ř esistance

= -5V, V

= -10V

= -5V ，我

= -10A

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

ř EVERSE传输电容

为s

OS s

RSS

= -15V, V

= 0V

F = 1.0MH

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ř ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

= -15V

=1.25ohm

= -10V

GE ñ

=6ohm

= -15V ，我

= -10A,

= -10V

4.9

8.8

27.1

15.5

60.5

8.3

13.7

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