S T M4437A
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
I
D
=-250uA
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
15
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
V
的s
=0V
g
F小号
，T失败者电导（ S）
-is ，S环境允许的漏电流（ A）
20
12
9
6
3
V
DS
=-5V
0
0
5
10
15
10.0
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-I
DS
，排水-S环境允许光凭目前ç （A ）
-V
S.D。
，B ODY二极管˚F orward V oltage （ V）
˚F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前Ç
-V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
60
-I
D
，排水光凭目前Ç （A ）
10
8
6
4
2
0
0
8
16
24 32 40
48
56
64
QG ，T otal摹吃ç哈耶（ NC）
N)
V
DS
=-15V
I
D
=-10A
10
R
D
S
升IM
it
10
10
1s
DC
(O
ms
0m
s
1
0.1
0.03
V
的s
=-10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
-V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
˚F igure 9.摹吃Ç哈耶
4
˚F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
