STM4433 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STM4433
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内容描述：	P沟道é nhancement模式MOSFET [P-Channel E nhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 657 K
品牌：	SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]

STM4433

电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

条件

= 0V ，是= -1.7A

最小值典型值

最大单位

-0.76 -1.2

漏源二极管的特性

笔记

a.Surface安装在FR4板，T < = 10秒。

b.Pulse测试：脉冲Width< = 300US ，职务Cycle< = 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

-VGS=4V

25 C

-I

，漏电流（ A）

-I

，漏电流（ A）

125 C

-55 C

-VGS=10,9,8,7,6,5V

-VGS=3V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

-V

，漏极至源极电压（ V）

-V

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

（归一化）

900

750

西塞

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

图2.传输特性

=-10V

=-5.8A

C，电容（pF ）

600

450

300

150

CRSS

科斯

0.6

-55

-25

100 125

-V

，漏极至源极电压（ V）

TJ ，结温（ C）

图3.电容

图4.导通电阻变化与

温度

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