S T摹8207
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
I
D
=250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
以T emperature
36
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20
10
g
F小号
，T失败者电导（ S）
24
18
12
6
0
0
5
10
15
V
DS
=5V
20
25
是，S环境允许的漏电流（ A）
30
1
0
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
=25 C
1.2
1.4
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前ç （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管˚F orward V oltage （ V）
˚F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前Ç
10
I
D
，排水光凭目前Ç （A ）
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
50
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
8
6
4
2
0
0
V
DS
=10V
I
D
=5A
10
R
DS
(O
N
im
)L
it
10
10
0m
s
ms
11
1s
DC
0.1
0.03
V
的s
=4.5V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
0.1
1
10
20
50
4
8
12
16
20
24
28 32
QG ，T otal摹吃ç哈耶（ NC）
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
˚F igure 9.摹吃Ç哈耶
˚F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
4
SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
