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STG8206 参数 Datasheet PDF下载

STG8206图片预览
型号: STG8206
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内容描述: 双N信道E nhancement模式场效应晶体管 [Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 649 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T摹8206
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V , IS = 2A
最小典型最大单位
0.8
1.2
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A.Ş urface安装在FR 4局,T 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
20
V
的s
=2V
16
20
V
的s
=10,9,8,7,6,5,4,3V
25
25 C
-55 C
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
12
15
T J = 125℃
8
4
0
10
5
0
0.0
0
2
4
6
8
10
12
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
˚F igure 1输出C haracteris抽动
2.2
2250
1.8
1800
1350
900
450
Ç RS s
0
0
2
4
6
8
˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
V
的s
=4.5V
I
D
=5A
R
DS ( ON)
,导通电阻
(归一化)
12
C,C apacitance (PF )
1.4
1.0
0.6
0.2
0
C为S
Ç OS s
10
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T J ( C)
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
˚F igure 3. Ç apacitance
˚F igure 4.在-R es是tance与变化
温度
3