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STD9916L 参数 Datasheet PDF下载

STD9916L图片预览
型号: STD9916L
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 899 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STU/D9916L
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时,归一化
门源阈值电压
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75 100 125
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
I
D
=250uA
TJ ,结温( C)
TJ ,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
18
图6.击穿电压变化
随温度
20
g
FS
,跨导( S)
12
9
6
3
0
V
DS
=10V
0
5
10
15
20
25
是,源极 - 漏极电流( A)
15
10
1
0
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
=25 C
1.2
1.4
I
DS
,漏源电流(A )
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图7.跨导变化
与漏极电流
10
I
D
,漏电流( A)
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
70
V
GS
,门源电压( V)
8
6
4
2
0
0
V
DS
=15V
I
D
=20A
50
R
DS
(O
L
N)
im
it
10
10
0m
s
ms
10 1
1s
DC
1
0.03
V
GS
=10V
单脉冲
TC = 25℃
0.1
1
10
30 50
2
4
6
8
10 12 14 16
QG ,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏源电压(V )
图9.栅极电荷
图10.最大安全
工作区
4