S T U / D4530NLS
S amHop微电子Ç ORP 。
12月28日
,
2005
NC hannel逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
V
DS S
35V
˚F ê乌尔(E S)
( m
W
)
I
D
53A
R
DS ( ON)
8
10
牛逼YP
S UPER高密度电池设计低R
DS (ON
).
@ V
的s
= 10V
@ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
TO- 252和TO- 251 P ackage 。
D
D
G
S
G
D
S
G
S TU性S E ř IE S
TO- 252AA (D -P AK )
的TD性S E ř IE S
的TO- 251 (1- P AK)的
S
ABS OLUTE最大R ATINGS ( TA = 25 C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许目标电压r阿婷
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous
a
-P ulsed
@ T
C
=25 C
S ymbol
Vspike (三)
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
40
35
20
53
100
20
50
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
最大P奥尔耗散@ TC = 25℃
工作和S torage温度ř法兰
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到C的酶
热ř esistance ,结到环境
1
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W