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    STD413S 参数 Datasheet PDF下载

    STD413S图片预览
    型号： STD413S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 250 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STD413S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STD413S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STD413S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STD413S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STD413S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STD413S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STD413S的Datasheet PDF文件第8页  
    STU/D413S
    版本1.0
    120
    100
    20.0
    是，源极 - 漏极电流（ A）
    I
    D
    =-9.5A
    10.0
    5.0
    75 C
    125 C
    125
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    80
    125 C
    60
    40
    20
    0
    75 C
    25 C
    25 C
    1.0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0.24
    0.48
    0.72
    0.96
    1.20
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图7.导通电阻与
    栅源电压
    1500
    图8.体二极管正向电压
    变化与源电流
    10
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    1250
    C，电容（pF ）
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    C为S
    1000
    750
    500
    COS。S
    250
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    Ç RS s
    V
    DS
    = -20V
    I
    D
    =-9.5A
    3
    6
    9
    12
    15
    18
    21 24
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    QG ，总栅极电荷（ NC）
    图9.电容
    图10.栅极电荷
    600
    100
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    it
    1m
    s
    10
    切换时间（纳秒）
    100
    60
    10
    TD （关闭）
    Tr
    TD （上）
    Tf
    10
    R
    DS
    (O
    L
    N)
    im
    0u
    s
    10
    DC
    ms
    1
    1
    6 10
    V DS = -20V ，ID = -1A
    V G S = -10V
    1
    V
    的s
    =-10V
    S英格尔P ulse
    T
    A
    =25 C
    1
    10
    40
    100
    60 100 300 600
    0.1
    RG ，栅极电阻（
    Ω
    )
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图11.开关特性
    图12.最大安全工作区
    Aug,08,2008
    4
    www.samhop.com.tw

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