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    STD320S 参数 Datasheet PDF下载

    STD320S图片预览
    型号： STD320S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 250 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STD320S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STD320S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STD320S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STD320S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STD320S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STD320S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STD320S的Datasheet PDF文件第8页  
    STU/D320S
    版本1.0
    电气特性
    (
    T
    C
    =25
    °
    C除非另有说明
    )
    符号
    参数
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =250uA
    V
    DS
    =24V , V
    GS
    =0V
    民
    30
    典型值
    最大
    单位
    V
    开关特性
    漏源击穿电压
    BV
    DSS
    零栅极电压漏极电流
    I
    DSS
    门体漏电流
    I
    GSS
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    栅极阈值电压
    R
    DS （ ON）
    g
    FS
    漏源导通电阻
    正向跨导
    V
    GS
    = ±20V , V
    DS
    =0V
    1
    ±10
    3
    20
    29
    A
    uA
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =250uA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =15A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =12.5A
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    =15A
    1
    1.8
    16
    22
    12
    430
    140
    88
    8
    13
    16
    30
    8
    4
    0.9
    2.5
    V
    兆欧
    兆欧
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    nC
    动态特性
    c
    输入电容
    C
    国际空间站
    输出电容
    C
    OSS
    反向传输电容
    C
    RSS
    开关特性
    t
    D（上）
    开启DelayTime
    tr
    上升时间
    t
    D（关闭）
    关断DelayTime
    tf
    下降时间
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    c
    V
    DS
    =15V,V
    GS
    =0V
    f=1.0MHz
    V
    DD
    =15V
    I
    D
    =1A
    V
    GS
    =10V
    R
    根
    = 6欧姆
    V
    DS
    =15V,I
    D
    =15A,V
    GS
    =10V
    V
    DS
    =15V,I
    D
    =15A,V
    GS
    =4.5V
    V
    DS
    =15V,I
    D
    =15A,
    V
    GS
    =10V
    漏源二极管的特性和最大额定值
    最大连续漏源二极管的正向电流
    I
    S
    二极管的正向电压
    b
    V
    SD
    V
    GS
    =0V,I
    S
    =2.2A
    0.8
    2.2
    1.3
    A
    V
    笔记
    _
    a.Surface安装在FR4板， t<10秒。
    _
    _
    b.Pulse测试：脉冲宽度< 300US ，职务Ctcle < 2 ％ 。
    设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
    d.Starting牛逼
    J
    =25
    °
    C,L=0.5mH,R
    G
    =25
    Ω
    ,V
    DD
    =30V,V
    GS
    = 10V （见Figure13 ）
    e.Package电流限制为20A 。
    Aug,11,2008
    2
    www.samhop.com.tw

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