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STD3055L2 参数 Datasheet PDF下载

STD3055L2图片预览
型号: STD3055L2
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 720 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T U / D3055L2
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 10A
最小典型最大单位
1
1.3
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A.Ş urface安装在FR 4局,T 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
10
V
的s
=10,9,8,7,6,5,4,3V
25
-55 C
20
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
8
6
V
的s
=2V
4
2
0
15
10
25 C
5
0
0.0
T J = 125℃
0
2
4
6
8
10
12
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
3.6
V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
˚F igure 1输出C haracteris抽动
1250
2.2
˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
V
的s
=10V
I
D
=6A
C,C apacitance (PF )
R
DS ( ON)
,导通电阻
(归一化)
1000
750
C为S
500
250
0
Ç RS s
0
4
8
12
16
20
24
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
0
Ç OS s
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T J ( C)
˚F igure 3. Ç apacitance
˚F igure 4.在-R es是tance与变化
温度
3