STD1855PL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STD1855PL
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内容描述：	P沟道é nhancement模式场效应晶体管 [P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	8 页 / 878 K
品牌：	SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]

S T U / D1855P L

Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T

= 25°C除非另有说明）

参数

S ymbol

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

为s

OS s

RSS

条件

= 0V时，我

= -250uA

= -44V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= V

, I

= -250uA

= -10V ，我

=-10A

= -4.5V ，我

= -6A

= -5V, V

= -10V

= -15V ，我

10A

最小值典型值

最大单位

-55

-1

100

-1.3

-1.8

-2.5

830

110

985

125

9.5

2.6

4.7

M-欧姆

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老ř esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

M-欧姆

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

ř EVERSE传输电容

=-30V, V

= 0V

F = 1.0MH

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ř ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

= -30V,

= -1A,

GE ñ

= - 10V,

GE ñ

= 6欧姆

=-30V,I

=-5A,V

=-10V

=-30V,I

=-5A,V

=-4.5V

= -30V ，我

= -5A,

=-10V

7.1

22.7

59.3

24.9

16.7

8.1

1.9

4.1

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