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    STB434S 参数 Datasheet PDF下载

    STB434S图片预览
    型号： STB434S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 232 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STB434S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STB434S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STB434S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STB434S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STB434S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STB434S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STB434S的Datasheet PDF文件第8页  
    STB/P434S
    版本1.0
    100
    V
    的s
    =10V
    V
    的s
    =4V
    V
    的s
    =3.5V
    60
    80
    60
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    48
    36
    -55 C
    24
    T J = 125℃
    12
    0
    25 C
    40
    V
    的s
    =3V
    20
    V
    的s
    =2.5V
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    0
    0.7
    1.4
    2.1
    2.8
    3.5
    4.2
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    图1.输出特性
    20
    图2.传输特性
    2.0
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0
    V
    GS
    =4.5V
    I
    D
    =25A
    V
    GS
    =10V
    I
    D
    =30A
    16
    12
    V
    GS
    =4.5V
    8
    V
    GS
    =10V
    4
    1
    1
    20
    40
    60
    80
    100
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻
    归
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    TJ ，结温（ ° C）
    150
    T J （
    °C )
    图3.导通电阻与漏电流
    与栅极电压
    图4.导通电阻变化与漏
    电流和温度
    BVDSS ，归
    漏源击穿电压
    Vth时，归一化
    门源阈值电压
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    -50 -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    V
    DS
    =V
    的s
    I
    D
    =250uA
    1.40
    I
    D
    =250uA
    1.30
    1.20
    1.10
    1.00
    0.90
    0.80
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    TJ ，结温（ ° C）
    TJ ，结温（ ° C）
    图5.门阈值变化
    随温度
    图6.击穿电压变化
    随温度
    Nov,14,2008
    3
    www.samhop.com.tw

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