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STB432S 参数 Datasheet PDF下载

STB432S图片预览
型号: STB432S
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内容描述: N沟道逻辑增强型场效应晶体管 [N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 241 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STB/P432S
版本1.0
60
V G S = 4 V
20
T J = 125℃
50
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
V G S = 4.5V
15
-55 C
10
25 C
40
V G S = 10V
30
20
V G S = 3 V
5
10
V G S = 2.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
15
图2.传输特性
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0
V
的s
=10V
I
D
=30A
V
的s
=4.5V
I
D
=28A
12
R
DS ( ON)
(m
)
V G S = 4.5V
9
6
V G S = 10V
3
1
1
12
24
36
48
60
R
DS ( ON)
,导通电阻
0
25
50
75
100
125
150
T J (
°C )
I
D
,漏电流( A)
TJ ,结温( ° C)
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
1.3
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
BVDSS ,归
漏源击穿电压
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
=250uA
Vth时,归一化
门源阈值电压
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
100 125 150
TJ ,结温( ° C)
TJ ,结温( ° C)
图5.门阈值变化
随温度
图6.击穿电压变化
随温度
Jun,24,2008
3
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