S T P / B 3055L2
S amHop微电子Ç ORP 。
2004年11月23日
NC hannel逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
V
DS S
20V
˚F ê乌尔(E S)
( m
W
)
I
D
18A
R
DS ( ON)
最大
S UPER高密度电池设计低R
DS (ON
).
40 @ V
的s
= 4.5V
60 @ V
的s
= 2.5V
- [R ugged可靠。
的TO-220和TO- 263 P ackage 。
D
D
G
D
S
G
S
铽性S E ř IE S
TO- 263 ( DD -P AK )
S TP性S E ř IE S
TO-220
G
S
ABS OLUTE最大R ATINGS (T
C
= 25°C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous
a
-P ulsed
@ TJ = 25℃
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
20
12
18
45
15
50
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
最大P奥尔耗散@ TC = 25℃
工作和S torage温度ř法兰
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到C的酶
热ř esistance ,结到环境
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
1